અર્ધવાહકમાં વહેતા કુલ વિદ્યુતપ્રવાહમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલનો ફાળો અનુક્રમે $\frac{3}{4}$ અને $\frac{1}{4}$ છે. જો આ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોનનો ડ્રિફ્ટ વેગ હોલના ડ્રિફ્ટ વેગ કરતા $\frac{5}{2}$ ગણો હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય, તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય?

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ અને હોલ $n_h$ ની સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધારીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ કરવામાં આવે છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ ની સાંદ્રતા ગણો.

એક $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \; meV$ પર છે. હોલ બનાવવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?